Abstract: This paper general introduces the NPT-IGBT rapidly develop in 1990s,including the structure,manufacture,performance feature,advantage and disadvantage.

• 文摘:对80年代末出现、90年代迅速发展起来的离子背注入发射区的NPT-IGBT进行简单介绍，包括其结构、制造、性能特点和优缺点。