At present the prevailing epitaxial growth techniques of GaN are Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Molecule Beam Epitaxy (MBE) as well as HVPE.

• 目前GaN的外延生长技术一般采用有机金属化学气相外延法(MOCVD)，在蓝宝石衬底的(0001)面上外延生长GaN材料，另外还有分子束外延技术(MBE)及卤化物汽相外延技术(HVPE)等。