Enhanced emission intensity, thermal stability and extended emission wavelength of InAs/GaAs QDs is shown by the use of an Sb-contained strain-reducing layer.
英
美
- 同时我们利用此类含锑化合物成功研制出具有较以往典型量子点活性层,更高的发光效率、热稳定性及更长波长之量子点活性层。