提出了一种快恢复二极管新结构 :少数载流子寿命横向非均匀分布 (m inority- carrier life tim e lateral non- u-niform distribution,ML D)结构 .

提出了一种快恢复二极管新结构 :少数载流子寿命横向非均匀分布 (m inority- carrier life tim e lateral non- u-niform distribution,ML D)结构 .的英文翻译

基本释义

• A new fast recover diode structure,the minority-carrier life time lateral non-uniform distribution (MLD) structure,is proposed.