Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。

Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。的英文翻译

基本释义

• Ge nanocrystal memory device can be programmed at a relatively low voltage and high speed.